STMICROELECTRONICS (caratterizzazioni affidabilistiche di array di memoria Flash)
Collaborazione con Ente Privato
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Data inizio: 01/01/2005
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Sommario
L'affidabilità è oggi il vincolo più forte che impedisce lo scaling delle memorie non-volatili di tipo Flash.
La ricerca è rivolta all'analisi dei meccanismi che limitano l’affidabilità di array di memorie Flash ultra-scalate e all'ottimizzazione delle condizioni operative al fine di contribuire alla definizione di tecnologie ottimizzate.
I fenomeni di perdita anomala di carica dal gate flottante sono caratterizzati mediante tecniche sperimentali appositamente sviluppate e studiati con l'ausilio di modelli numerici avanzati.
Il Progetto è frutto di una collaborazione a lungo termine.
Attualmente l'attività di ricerca è focalizzata sullo studio dei fenomeni di instabilità della tensione di soglia dovuti ad intrappolamento di singoli elettroni nell’ossido di tunnel della cella di memoria e sulla loro caratterizzazione statistica.
La ricerca è rivolta all'analisi dei meccanismi che limitano l’affidabilità di array di memorie Flash ultra-scalate e all'ottimizzazione delle condizioni operative al fine di contribuire alla definizione di tecnologie ottimizzate.
I fenomeni di perdita anomala di carica dal gate flottante sono caratterizzati mediante tecniche sperimentali appositamente sviluppate e studiati con l'ausilio di modelli numerici avanzati.
Il Progetto è frutto di una collaborazione a lungo termine.
Attualmente l'attività di ricerca è focalizzata sullo studio dei fenomeni di instabilità della tensione di soglia dovuti ad intrappolamento di singoli elettroni nell’ossido di tunnel della cella di memoria e sulla loro caratterizzazione statistica.
Risultati del progetto ed eventuali pubblicazioni scientifiche/brevetti
- R. Gusmeroli, C. Monzio Compagnoni, A. Riva, A.S. Spinelli, A.L. Lacaita, M. Bonanomi, and A. Visconti, “Defects spectroscopy in SiO2 by statistical random telegraph noise analysis”, in IEDM Tech. Dig., pp.483-486, 2006.
- D. Ielmini, A.S. Spinelli, and A. Visconti, “Characterization of oxide trap energy by analysis of the SILC roll-off regime in Flash memories”, IEEE Trans. Electron Devices, vol.53, pp. 126-134, 2006.
- D. Ielmini, A. Ghetti, A.S. Spinelli, and A. Visconti, “A study of hot-hole injection during programming drain disturb in Flash memories”, IEEE Trans. Electron Devices, vol.53, pp. 668-676, 2006.
- D. Ielmini, A. S. Spinelli and A. L. Lacaita, “Recent developments on Flash memory reliability”, Microelectron. Eng. 80C, 321-328, 2005.
- D. Ielmini, A. S. Spinelli, A. L. Lacaita, L. Chiavarone and A. Visconti, “A new charge-trapping technique to extract SILC-trap time constants in SiO2”, in IEDM Tech. Dig., IEEE Inc., Piscataway, NJ, 551-554 (2005). ISBN 0-7803-9268-X.
Brevetto:
A. Visconti, M. Bonanomi, D. Ielmini, A. S. Spinelli, “Method for programming/erasing a non volatile memory cell device, in particular for Flash type memories”. Domanda di brevetto congiunta STMicroelectronics-Politecnico di Milano depositata in data 10/3/06.
