I materiali ferroelettrici sono stati ampiamente studiati per varie applicazioni quali memorie non volatili e condensatori. Di particolare interesse è il considerevole effetto elettro-ottico mostrato in molti materiali ferroelettrici, effetto che è invece assente nel silicio. Recentemente, materiali ferroelettrici a film sottile hanno attirato sempre maggiore attenzione come materiali fotonici compatibili con la tecnologia CMOS in silicio. Dimostrazioni di principio del funzionamento di strati ferroelettrici sono già state presentate, ma manca una produzione e caratterizzazione sistematica capace di affrontare le sfide poste da una futura fabbricazione di dispositivi fotonici a livello di chip.
In questo progetto interdisciplinare, si analizzerà l'interazione luce-materia in film sottili di materiali ferroelettrici e si svilupperanno le relative tecnologie di produzione e caratterizzazione. Come risultato del progetto, prevediamo la comprensione profonda e completa dei processi relativi ai film sottili ferroelettrici e la creazione di una piattaforma per la realizzazione di film sottili ferroelettrici compatibili con la tecnologia CMOS in silicio e abilitanti dispositivi ottici innovativi. I partner del progetto svizzeri, giapponesi e italiani lavoreranno relativamente alla progettazione, fabbricazione, integrazione e caratterizzazione dei dispositivi con collaborazioni reciproche.