Le memorie a stato solido giocano un ruolo sempre più importante nel mondo dell’elettronica, grazie non solo alla grande varietà di applicazioni che stanno nascendo dalla densità di memorizzazione senza precedenti messa a disposizione dalle tecnologie di nanoscala ma anche agli scenari di calcolo in memoria che si prospettano all’orizzonte. In questo contesto, le attività di ricerca svolte nel laboratorio sono principalmente focalizzate sullo studio sperimentale e numerico della fisica di base, dell’affidabilità e delle prestazioni di dispositivi nano-elettronici per la memorizzazione di dati ad alta densità e per il calcolo in memoria. Le memorie 3D-NAND Flash, NOR Flash, a cambiamento di fase (Phase-Change Memories - PCM), resistive (Resistive Random Access Memories - ReRAM), magnetoresistive (Magnetoresistive Random Access Memories - MRAM) e ferroelettriche sono solo le più importanti investigate nel laboratorio. Tutti i campioni testati sperimentalmente sono o forniti dai principali produttori di tecnologie a semiconduttore o fabbricati al PoliFab (la struttura del Politecnico di Milano per la fabbricazione di dispositivi e strutture di micro e nano scala). Le attività sperimentali sono svolte con apparecchiature avanzate per il testing di dispositivi a semiconduttore, come probe-station per la caratterizzazione elettrica a livello di wafer, semiconductor parameter analyzer, generatori di forme d’onda ad alta velocità, LCR-meter di precisione, oscilloscopi a banda elevata, un criostato e molti altri strumenti ed attrezzature indispensabili in qualsiasi laboratorio di nano-elettronica ben equipaggiato. Le attività numeriche sono portate avanti con un simulatore commerciale di dispositivi a semiconduttore (Synopsys TCAD) o attraverso software sviluppato autonomamente mediante Matlab. 
Fra gli scopi più importanti della ricerca, vi è quello di comprendere la fenomenologia di base, le dipendenze e l’impatto sulla tecnologia della varietà di fenomeni fisici che hanno luogo nei dispositivi nano-elettronici a stato solido per la memorizzazione dei dati ad alta densità, esplorando anche la possibilità di utilizzare questi dispositivi per gli emergenti scenari di calcolo in memoria.
Il lavoro è svolto in collaborazione con alcune delle più importanti aziende di semiconduttori nel mondo, fra cui Micron Technology Inc. e STMicroelectronics, o nel quadro di progetti di ricerca nazionali ed internazionali.